บ้าน
สินค้า
แสดง VR
เกี่ยวกับเรา
ทัวร์โรงงาน
ควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
ขออ้าง
ข่าว
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
บ้าน ผลิตภัณฑ์

ชิป IC หน่วยความจำ

ผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุด
ประเทศจีน Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd. รับรอง
ประเทศจีน Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd. รับรอง
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ชิป IC หน่วยความจำ

(1093)
ประเทศจีน MT28EW01GABA1LPC-0AAT โรงงาน

MT28EW01GABA1LPC-0AAT
ติดต่อ

MT28EW01GABA1LPC-0AAT ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NORขนาดหน่วยความจำ1Gb (128M x 8, 64M x 16)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage60nsเวลาเข้าใช้105 ns... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:25
ประเทศจีน MT53D512M64D8HR-053 WT:B โรงงาน

MT53D512M64D8HR-053 WT:B
ติดต่อ

MT53D512M64D8HR-053 WT:B ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - มือถือ LPDDR4ขนาดหน่วยความจำ32Gb (512M x 64)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซ-ความถี่นาฬิกา1.866 GHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:24
ประเทศจีน MT40A1G8WE-075E:ด โรงงาน

MT40A1G8WE-075E:ด
ติดต่อ

MT40A1G8WE-075E:ด ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - DDR4ขนาดหน่วยความจำ8Gb (1G x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา1.33 GHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ1... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:23
ประเทศจีน EDB4064B4PB-1DIT-FD โรงงาน

EDB4064B4PB-1DIT-FD
ติดต่อ

EDB4064B4PB-1DIT-FD ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - มือถือ LPDDR2ขนาดหน่วยความจำ4Gb (64M x 64)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา533 MHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:22
ประเทศจีน EDB8132B4PM-1DAT-F-D โรงงาน

EDB8132B4PM-1DAT-F-D
ติดต่อ

EDB8132B4PM-1DAT-FD ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - มือถือ LPDDR2ขนาดหน่วยความจำ8Gb (256M x 32)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา533 MHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การ... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:20
ประเทศจีน MTFC8GACAANA-4M ไอที โรงงาน

MTFC8GACAANA-4M ไอที
ติดต่อ

MTFC8GACAANA-4M ไอที ประเภทหน่วยความจำ-รูปแบบหน่วยความจำ-เทคโนโลยี-ขนาดหน่วยความจำ-หน่วยความจำอินเทอร์เฟซ-ความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ-อุณหภูมิในการทำงาน-ประเภทการติดตั้ง-บร... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:18
ประเทศจีน MTFC8GACAAAM-4M ไอที โรงงาน

MTFC8GACAAAM-4M ไอที
ติดต่อ

MTFC8GACAAAM-4M ไอที ประเภทหน่วยความจำ-รูปแบบหน่วยความจำ-เทคโนโลยี-ขนาดหน่วยความจำ-หน่วยความจำอินเทอร์เฟซ-ความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ-อุณหภูมิในการทำงาน-ประเภทการติดตั้ง-บร... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:17
ประเทศจีน S71WS256PC0HH3YR3 โรงงาน

S71WS256PC0HH3YR3
ติดต่อ

S71WS256PC0HH3YR3 ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลช, แรมเทคโนโลยีFLASH, PSRAMขนาดหน่วยความจำ256Mb แฟลช, 64Mb RAMหน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา80 MHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:16
ประเทศจีน S71VS128RC0AHK4L3 โรงงาน

S71VS128RC0AHK4L3
ติดต่อ

S71VS128RC0AHK4L3 ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลช, แรมเทคโนโลยีFLASH, PSRAMขนาดหน่วยความจำแฟลช 128 เมกะไบต์, แรม 64 เมกะไบต์หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา108 MHzWriteCycleTime-WordPage-เ... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:15
ประเทศจีน MTFC4GACAANA-4M ไอที โรงงาน

MTFC4GACAANA-4M ไอที
ติดต่อ

MTFC4GACAANA-4M ไอที ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NANDขนาดหน่วยความจำ32Gb (4G x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซMMCความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ2.7V ... อ่านเพิ่มเติม
2022-07-28 08:39:06
Page 9 of 110|< 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 >|