ชิป IC หน่วยความจำ

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ชิป IC อิเล็กทรอนิกส์ (12036)

ชิป IC หน่วยความจำ (1093)

ชิป IC แอมพลิฟายเออร์ (21)

ตัวกรอง EMI IC (21)

ตัวเหนี่ยวนำสายไฟ (26)

ไดร์เวอร์จอแสดงผลIC (9)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU (2030)

ไอซีการจัดการพลังงาน (6542)

ทรานซิสเตอร์ NPN PNP (13)

ตัวเก็บประจุชิป SMD (12)

ส่วนประกอบไฟ LED (11)

โมดูลพลังงาน IGBT (12)

รีเลย์สัญญาณต่ำ (10)

IC ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ (12)

ผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุด

JS28F128P33BF70A

ประเทศจีน Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd. รับรอง

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

หน่วยความจำ IC Cirrus Logic Chip CS493292-CL สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรมยานยนต์

หน่วยความจำ IC Cirrus Logic Chip CS493292-CL สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรมยานยนต์

NXP หน่วยความจำชิป IC BB202 64M 133 MHZ 8SOIC SPI FLASH IC

ชิป IC หน่วยความจำลอจิก Vishay IRF830B สำหรับระบบอัตโนมัติในอุตสาหกรรมยานยนต์

หน่วยความจำ อุปกรณ์อนาล็อก IC ADI AD633AR Ace Controller 144TQFP

Maxim Integrated Memory IC Chip MAX139EPL สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรมยานยนต์

ชิป IC หน่วยความจำ

(1093)

S29AL016J70TFI010
ติดต่อ

S29AL016J70TFI010 ประเภทหน่วยความจำ-รูปแบบหน่วยความจำ-เทคโนโลยี-ขนาดหน่วยความจำ-หน่วยความจำอินเทอร์เฟซ-ความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ-อุณหภูมิในการทำงาน-ประเภทการติดตั้ง-บรรจุ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:23

JS28F320J3F75A
ติดต่อ

JS28F320J3F75A ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NORขนาดหน่วยความจำ32Mb (4M x 8, 2M x 16)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage75nsเวลาเข้าใช้75 nsการจ่ายแรง... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:21

JS28F128J3F75A
ติดต่อ

JS28F128J3F75A ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NORขนาดหน่วยความจำ128Mb (16M x 8, 8M x 16)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage75nsเวลาเข้าใช้75 nsการจ่ายแ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:20

M45PE80-VMP6G
ติดต่อ

M45PE80-VMP6G ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NORขนาดหน่วยความจำ8Mb (1M x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซSPIความถี่นาฬิกา75 MHzWriteCycleTime-WordPage3msเวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ2.7V ~ ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:18

MT41K512M16HA-125 IT:เอ
ติดต่อ

MT41K512M16HA-125 IT:เอ ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - DDR3Lขนาดหน่วยความจำ8Gb (512M x 16)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา800 MHzWriteCycleTime-WordPage15nsเวลาเข้าใช้13.75 ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:13

MTFC2GMDEA-0M WT A
ติดต่อ

MTFC2GMDEA-0M WT A ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NANDขนาดหน่วยความจำ16Gb (2G x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซMMCความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ2.7V ~ ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:12

IS21ES04G-JQLI
ติดต่อ

IS21ES04G-JQLI ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NAND (MLC)ขนาดหน่วยความจำ32Gb (4G x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซeMMCความถี่นาฬิกา200 MHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดัน... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:06

IS43LD32128A-25BPLI
ติดต่อ

IS43LD32128A-25BPLI ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - มือถือ LPDDR2-S4ขนาดหน่วยความจำ4Gb (128M x 32)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา400 MHzWriteCycleTime-WordPage15nsเวลาเข้าใ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:05

S71VS128RB0AHK4L0
ติดต่อ

S71VS128RB0AHK4L0 ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลช, แรมเทคโนโลยีFLASH, PSRAMขนาดหน่วยความจำแฟลช 128 เมกะไบต์, แรม 32 เมกะไบต์หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา108 MHzWriteCycleTime-WordPage-เ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:04

FT24C512A-ESR-T
ติดต่อ

FT24C512A-ESR-T ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำEEPROMเทคโนโลยีEEPROMขนาดหน่วยความจำ512Kb (64K x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซI²Cความถี่นาฬิกา1 เมกะเฮิรตซ์WriteCycleTime-WordPage5msเวลาเข้าใช้900 nsการจ่าย... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:40:03

Page 5 of 110|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|