ชิป IC หน่วยความจำ

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ชิป IC อิเล็กทรอนิกส์ (12036)

ชิป IC หน่วยความจำ (1093)

ชิป IC แอมพลิฟายเออร์ (21)

ตัวกรอง EMI IC (21)

ตัวเหนี่ยวนำสายไฟ (26)

ไดร์เวอร์จอแสดงผลIC (9)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU (2030)

ไอซีการจัดการพลังงาน (6542)

ทรานซิสเตอร์ NPN PNP (13)

ตัวเก็บประจุชิป SMD (12)

ส่วนประกอบไฟ LED (11)

โมดูลพลังงาน IGBT (12)

รีเลย์สัญญาณต่ำ (10)

IC ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ (12)

ผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุด

JS28F128P33BF70A

ประเทศจีน Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd. รับรอง

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

หน่วยความจำ IC Cirrus Logic Chip CS493292-CL สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรมยานยนต์

หน่วยความจำ IC Cirrus Logic Chip CS493292-CL สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรมยานยนต์

NXP หน่วยความจำชิป IC BB202 64M 133 MHZ 8SOIC SPI FLASH IC

ชิป IC หน่วยความจำลอจิก Vishay IRF830B สำหรับระบบอัตโนมัติในอุตสาหกรรมยานยนต์

หน่วยความจำ อุปกรณ์อนาล็อก IC ADI AD633AR Ace Controller 144TQFP

Maxim Integrated Memory IC Chip MAX139EPL สำหรับระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรมยานยนต์

ชิป IC หน่วยความจำ

(1093)

MT53E768M32D4DT-046 AIT:E
ติดต่อ

MT53E768M32D4DT-046 AIT:E ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - มือถือ LPDDR4ขนาดหน่วยความจำ24Gb (768M x 32)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซ-ความถี่นาฬิกา2.133 GHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:59

MT40A512M16TB-062E:J
ติดต่อ

MT40A512M16TB-062E:J ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - DDR4ขนาดหน่วยความจำ8Gb (512M x 16)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา1.6 GHzWriteCycleTime-WordPage15nsเวลาเข้าใช้19 นการจ่... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:58

MT40A1G8SA-062E:J
ติดต่อ

MT40A1G8SA-062E:J ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - DDR4ขนาดหน่วยความจำ8Gb (1G x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา1.6 GHzWriteCycleTime-WordPage15nsเวลาเข้าใช้19 นการจ่ายแรงด... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:57

S25FL064P0XBHI023
ติดต่อ

S25FL064P0XBHI023 ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NORขนาดหน่วยความจำ64Mb (8M x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซSPI - สี่ I/Oความถี่นาฬิกา104 MHzWriteCycleTime-WordPage5µs, 3msเวลาเข้าใช้-ก... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:56

THGBMJG6C1LBAU7
ติดต่อ

THGBMJG6C1LBAU7 ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NANDขนาดหน่วยความจำ64Gb (8G x 8)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซeMMCความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ-อุณหภูมิ... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:55

S34MS16G202BHI000
ติดต่อ

S34MS16G202BHI000 ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลชเทคโนโลยีแฟลช - NAND (SLC)ขนาดหน่วยความจำ16Gb (4G x 4)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage45nsเวลาเข้าใช้45 นาทีการจ่าย... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:54

THGBMHG8C4LBAIR
ติดต่อ

THGBMHG8C4LBAIR ประเภทหน่วยความจำ-รูปแบบหน่วยความจำ-เทคโนโลยี-ขนาดหน่วยความจำ-หน่วยความจำอินเทอร์เฟซ-ความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ-อุณหภูมิในการทำงาน-ประเภทการติดตั้งติดบนพื้... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:53

THGBMFG8C2LBAIL
ติดต่อ

THGBMFG8C2LBAIL ประเภทหน่วยความจำ-รูปแบบหน่วยความจำ-เทคโนโลยี-ขนาดหน่วยความจำ-หน่วยความจำอินเทอร์เฟซ-ความถี่นาฬิกา-WriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้-การจ่ายแรงดันไฟ-อุณหภูมิในการทำงาน-ประเภทการติดตั้งติดบนพื้... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:52

S71VS064RB0AHTCL0
ติดต่อ

S71VS064RB0AHTCL0 ประเภทหน่วยความจำไม่ระเหยรูปแบบหน่วยความจำแฟลช, แรมเทคโนโลยีFLASH, PSRAMขนาดหน่วยความจำแฟลช 64 เมกะไบต์, แรม 64 เมกะไบต์หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา108 MHzWriteCycleTime-WordPage-เว... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:51

MT41K512M16HA-125:A TR
ติดต่อ

MT41K512M16HA-125:A TR ประเภทหน่วยความจำระเหยรูปแบบหน่วยความจำดราม่าเทคโนโลยีSDRAM - DDR3Lขนาดหน่วยความจำ8Gb (512M x 16)หน่วยความจำอินเทอร์เฟซขนานความถี่นาฬิกา800 MHzWriteCycleTime-WordPage-เวลาเข้าใช้13.5 nsกา... อ่านเพิ่มเติม

2022-07-28 08:39:50

Page 6 of 110|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|