VS-50MT060WHTAPBF
ผู้ผลิต:
Vishay General Semiconductor - แผนกไดโอด
คําอธิบาย:
IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
114 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล 12-MTP
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.2V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
ม.ป.ท
Mfr:
Vishay General Semiconductor - แผนกไดโอด
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
400 µA
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
658 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
7.1nF @ 30 โวลต์
การตั้งค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
50MT060
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ครึ่งสะพาน 600 V 114 A 658 W แชสซี่มอนท์ MTP
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
VS-CPV362M4UPBF Vishay สารประกอบทั่วไป IGBT SIP
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductors ทั่วไป
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
VS-CPV362M4FPBF
IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
CPV362M4U
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
VS-GT105LA120UX
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
VS-CPV362M4UPBF Vishay สารประกอบทั่วไป IGBT SIP |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
|
|
|
|
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductors ทั่วไป |
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
|
|
|
|
VS-CPV362M4FPBF |
IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
|
|
|
|
CPV362M4U |
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
|
|
|
|
VS-GT105LA120UX |
IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: