MG1275H-XN2MM
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
105 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 75A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
ลิตเติลฟิวส์ อิงค์
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
348 ว
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
5.3 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
คําแนะนํา
โมดูล IGBT ช่องขวาง สต็อปสนามสามเฟส อินเวอร์เตอร์ 1200 V 105 A 348 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
---|---|---|---|
![]() |
MG12600WB-BR2MM |
IGBT MODULE 1200V 750A 2500W WB
|
|
![]() |
MG12450WB-BN2MM |
IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: