MG50HF12LEC1
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยีหยางจี้
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล C1
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
50 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.1V @ 15V, 50A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
-
Mfr:
เทคโนโลยีหยางจี้
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
400 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
4.3 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
สวิตช์เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
คําแนะนํา
โมดูล IGBT NPT สวิตช์เดี่ยว 1200 V 50 A 400 W
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
MG400HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: