APTGF100A120T3AG
ผู้ผลิต:
ไมโครเซมิ คอร์เปอเรชั่น
คําอธิบาย:
โมดูล IGBT 1200V 130A 780W SP3
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
130 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SP3
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SP3
Mfr:
ไมโครเซมิ คอร์เปอเรชั่น
อุณหภูมิการทํางาน:
-
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
250 µA
ประเภท IGBT:
สพป
กำลัง - สูงสุด:
780 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.5 nF @ 25 โวลต์
การตั้งค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
คําแนะนํา
โมดูล IGBT NPT Half Bridge 1200 V 130 A 780 W ชาซีมอนท์ SP3
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
APTGF180DH60G |
IGBT MODULE 600V 220A 833W SP6
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: