BCR119SE6327BTSA1
ผู้ผลิต:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ พรีไบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
100mA
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภททรานซิสเตอร์:
2 NPN - พรีไบแอส (คู่)
ความถี่ - การเปลี่ยน:
150MHz
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
50V
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
PG-SOT363-PO
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):
4.7kโอห์ม
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):
-
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
-
กำลัง - สูงสุด:
250mW
กล่อง / กระเป๋า:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
120 @ 5mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:
BCR119
คําแนะนํา
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) 2 NPN - ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (คู่) 50V 100mA 150MHz 250mW พื้นที่ติด PG-SOT363-PO
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
บีซีอาร์ 48PN H6727 |
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: