FGH40T65SHDF_F155
ผู้ผลิต:
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ IGBT 650V FS Gen3 ร่องลึก IGBT
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
กระแสรั่วไหลของเกต-อิมิตเตอร์ ::
400 นาโนเมตร
ประเภทสินค้า ::
IGBT ทรานซิสเตอร์
สไตล์การติดตั้ง ::
ผ่านหลุม
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C ::
80 อ
Pd - การกระจายพลังงาน ::
268 W
แรงดันสะสม- ตัวส่ง VCEO สูงสุด ::
650 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-247-3
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 175 ซ
แรงดันไฟฟ้าตัวส่งสัญญาณเกตสูงสุด::
30 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ ::
ท่อ
การกำหนดค่า::
เดี่ยว
แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวปล่อย::
1.45 โวลต์
ผู้ผลิต ::
แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์
คําแนะนํา
FGH40T65SHDF_F155, จาก Fairchild Semiconductor, เป็น IGBT Transistors.สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก, ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่.หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
FGL60N100BNTDTU
IGBT Transistors HIGH POWER
FGA30T65SHD
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
FGBS3040E1_F085
IGBT Transistors SMART IGBT
FGH40T100SMD_F155
IGBT Transistors 1000V 40A FS TIGBT
FGH75N60UFTU
IGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
FGB3040CS
IGBT Transistors IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
FGH40T120SMDL4
HGTG40N60A4
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
FGA15N120ANTDTU
IGBT Transistors 1200V NPT Trench
HGTG20N60A4D
IGBT Transistors 600V
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
FGL60N100BNTDTU |
IGBT Transistors HIGH POWER
|
|
|
|
FGA30T65SHD |
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
|
|
|
|
FGBS3040E1_F085 |
IGBT Transistors SMART IGBT
|
|
|
|
FGH40T100SMD_F155 |
IGBT Transistors 1000V 40A FS TIGBT
|
|
|
|
FGH75N60UFTU |
IGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
|
|
|
|
FGB3040CS |
IGBT Transistors IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
|
|
|
|
FGH40T120SMDL4 |
|
|
|
|
HGTG40N60A4 |
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
|
|
|
|
FGA15N120ANTDTU |
IGBT Transistors 1200V NPT Trench
|
|
|
|
HGTG20N60A4D |
IGBT Transistors 600V
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: