STGW60V60F
รายละเอียด
ประเภทสินค้า ::
IGBT ทรานซิสเตอร์
สไตล์การติดตั้ง ::
ผ่านหลุม
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C ::
80 อ
Pd - การกระจายพลังงาน ::
375 ว
แรงดันสะสม- ตัวส่ง VCEO สูงสุด ::
600 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-247-3
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 175 ซ
แรงดันไฟฟ้าตัวส่งสัญญาณเกตสูงสุด::
+/- 20 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ ::
ท่อ
การกำหนดค่า::
เดี่ยว
แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวปล่อย::
2.35 โวลต์
ผู้ผลิต ::
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
คําแนะนํา
STGW60V60F จาก STMicroelectronics เป็น IGBT Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นส่วนเดิมและชิ้นส่วนใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
---|---|---|---|
![]() |
STGW25M120DF3 |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: