IRG4PH50UDPBF
ผู้ผลิต:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ประเภทสินค้า ::
IGBT ทรานซิสเตอร์
สไตล์การติดตั้ง ::
ผ่านหลุม
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C ::
45 ก
Pd - การกระจายพลังงาน ::
200 วัตต์
แรงดันสะสม- ตัวส่ง VCEO สูงสุด ::
1.2 กิโลโวลต์
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-247-3
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 150 องศาเซลเซียส
แรงดันไฟฟ้าตัวส่งสัญญาณเกตสูงสุด::
+/- 20 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ ::
ท่อ
การกำหนดค่า::
เดี่ยว
แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวปล่อย::
3.7 โวลต์
ผู้ผลิต ::
อินฟินิออน เทคโนโลยี
คําแนะนํา
IRG4PH50UDPBF จากอินฟินิออน เทคโนโลยี เป็น IGBT ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: