IKP30N65H5
ผู้ผลิต:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ IGBT ผลิตภัณฑ์ IGBT TrenchStop 5
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
กระแสรั่วไหลของเกต-อิมิตเตอร์ ::
100 นาโนเมตร
ประเภทสินค้า ::
IGBT ทรานซิสเตอร์
สไตล์การติดตั้ง ::
ผ่านหลุม
กระแสสะสมต่อเนื่องที่ 25 C ::
55 อ
Pd - การกระจายพลังงาน ::
188 ว
แรงดันสะสม- ตัวส่ง VCEO สูงสุด ::
650 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-220-3
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 175 ซ
แรงดันไฟฟ้าตัวส่งสัญญาณเกตสูงสุด::
20 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ ::
ท่อ
การกำหนดค่า::
เดี่ยว
แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวปล่อย::
1.65 โวลต์
ผู้ผลิต ::
อินฟินิออน เทคโนโลยี
คําแนะนํา
IKP30N65H5 จากอินฟินิออน เทคโนโลยี เป็น IGBT ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: