NSBC123JPDXV6T5G
ผู้ผลิต:
เซมี่
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - พรีไบแอส 100mA เสริม 50V Dual NPN และ PNP
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์ ::
พนง
ประเภทสินค้า ::
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - พรีไบแอส
สไตล์การติดตั้ง ::
เอสเอ็มดี/SMT
อัตราส่วนตัวต้านทานทั่วไป::
0.047
Pd - การกระจายพลังงาน ::
357 มิลลิวัตต์
แรงดันสะสม- ตัวส่ง VCEO สูงสุด ::
50 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
สทศ-563-6
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 150 องศาเซลเซียส
DC Collector/ฐานได้รับ hfe ขั้นต่ำ::
80, 140
บรรจุภัณฑ์ ::
รอก
การกำหนดค่า::
ดูอัล
ชุด ::
NSBC123JPDXV6
ตัวต้านทานอินพุตทั่วไป::
2.2 กิโลโอห์ม
กระแสไฟสะสม DC สูงสุด::
100 มิลลิแอมป์
ผู้ผลิต ::
เซมี่
กระแสสะสมต่อเนื่อง::
0.1 ก
คําแนะนํา
NSBC123JPDXV6T5G จาก onsemi เป็น Bipolar Transistors - Pre-Biased สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: