STD80N6F6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
คําอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 80A สตรีปเฟต VI DeepGATE
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์ ::
N-ช่อง
เทคโนโลยี ::
ศรี
ประเภทสินค้า ::
มอสเฟต
สไตล์การติดตั้ง ::
เอสเอ็มดี/SMT
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ ::
- 55 องศาเซลเซียส
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-252-3
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 175 ซ
Vds - แรงดันพังทลายระหว่างเดรนและซอร์ส ::
60 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ ::
รอก
Vgs th - แรงดันเกท-ซอร์ส::
4.5 โวลต์
Id - กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง ::
80 อ
Rds On - ความต้านทานของเดรน-ซอร์ส ::
6.5 mOhms
จำนวนช่อง ::
1 ช่อง
Vgs - แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
20 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู ::
122 เอ็นซี
ผู้ผลิต ::
STMicroelectronics เครื่องอิเล็กทรอนิกส์
คําแนะนํา
STD80N6F6 จาก STMicroelectronics เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นส่วนเดิมและชิ้นส่วนใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: