TK14E65W,S1X
ผู้ผลิต:
โตชิบา
คําอธิบาย:
MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS ช่องทางที่ใช้ได้
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์ ::
N-ช่อง
Id - กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง ::
13.7 A
สไตล์การติดตั้ง ::
ผ่านหลุม
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ ::
- 55 องศาเซลเซียส
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-220-3
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 150 องศาเซลเซียส
โหมดช่อง::
การเพิ่มประสิทธิภาพ
Vds - แรงดันพังทลายระหว่างเดรนและซอร์ส ::
650 โวลต์
เทคโนโลยี ::
ศรี
Vgs th - แรงดันเกท-ซอร์ส::
2.5 โวลต์ถึง 3.5 โวลต์
ประเภทสินค้า ::
มอสเฟต
Rds On - ความต้านทานของเดรน-ซอร์ส ::
220 มิลลิโอห์ม
จำนวนช่อง ::
1 ช่อง
Vgs - แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
30 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู ::
35 นาโนเมตร
ผู้ผลิต ::
โตชิบา
คําแนะนํา
TK14E65W,S1X จาก Toshiba เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นส่วนเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: