IXTT500N04T2
ผู้ผลิต:
IXYS
คําอธิบาย:
MOSFET ถ้ํา T2 พลังงาน MOSFET
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์ ::
N-ช่อง
เทคโนโลยี ::
ศรี
Id - กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง ::
500 ก
สไตล์การติดตั้ง ::
เอสเอ็มดี/SMT
ชื่อการค้า ::
TrenchT2
อุณหภูมิในการทำงานขั้นต่ำ ::
- 55 องศาเซลเซียส
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-268-3
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 175 ซ
โหมดช่อง::
การเพิ่มประสิทธิภาพ
Vds - แรงดันพังทลายระหว่างเดรนและซอร์ส ::
40 โวลต์
บรรจุภัณฑ์ ::
ท่อ
Vgs th - แรงดันเกท-ซอร์ส::
3.5 โวลต์
ประเภทสินค้า ::
มอสเฟต
Rds On - ความต้านทานของเดรน-ซอร์ส ::
1.6 mOhms
Vgs - แรงดันไฟฟ้าระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
20 โวลต์
Qg - ค่าธรรมเนียมประตู ::
405 ป.ศ
ผู้ผลิต ::
IXYS
คําแนะนํา
IXTT500N04T2 จาก IXYS เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
IXFR30N50Q
MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
IXTP10N60P
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
IXFH44N50Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR30N50Q |
MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
|
|
|
|
IXTP10N60P |
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
|
|
|
|
IXFH44N50Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: