IPD127N06LGBTMA1
ผู้ผลิต:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
คําอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 50A ถึง-252
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ประเภทสินค้า ::
มอสเฟต
วีจีเอส (สูงสุด) ::
±20V
กระแสไฟ - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C ::
50A (ทีซี)
@ จำนวน ::
0
ประเภท FET ::
N-ช่อง
ประเภทการติดตั้ง ::
การติดตั้งพื้นผิว
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs ::
69nC @ 10V
ผู้ผลิต ::
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ปริมาณขั้นต่ำ ::
2500
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)::
4.5V, 10V
สต็อกโรงงาน::
0
อุณหภูมิในการทำงาน ::
-55°C ~ 175°C (TJ)
คุณสมบัติ FET::
-
ชุด ::
OptiMOS™
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds ::
2300pF @ 30V
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ::
PG-TO252-3
สถานะชิ้นส่วน::
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
บรรจุภัณฑ์ ::
เทป & รีล (TR)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs ::
12.7 มิลลิโอห์ม @ 50A, 10V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด) ::
136W (TC)
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63
เทคโนโลยี ::
MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ)
Vgs(th) (Max) @ Id ::
2V @ 80μA
แรงดันเดรนสู่แหล่งจ่าย (Vdss) ::
60V
คําแนะนํา
IPD127N06LGBTMA1 จากอินฟินิออน เทคโนโลยี เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลกหากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: