SIS892ADN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay เซมิคอนดักเตอร์
คําอธิบาย:
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
ประเภท:
เซมิคอนดักเตอร์
รายละเอียด
เทคโนโลยี ::
ศรี
ประเภทสินค้า ::
มอสเฟต
ชื่อการค้า ::
ร่องลึกFET
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
พาวเวอร์แพค 1212-8
บรรจุภัณฑ์ ::
รอก
ผู้ผลิต ::
Vishay เซมิคอนดักเตอร์
คําแนะนํา
SIS892ADN-T1-GE3 จาก Vishay Semiconductors เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
SUD50N06-09L-E3
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
SIHF23N60E-GE3
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
SIS472DN-T1-GE3
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
|
|
|
|
SIHF23N60E-GE3 |
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SIS472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
|
|
|
|
SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: