IRFR13N15DTRL
รายละเอียด
ประเภทสินค้า ::
มอสเฟต
วีจีเอส (สูงสุด) ::
±30V
กระแสไฟ - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C ::
14A (Tc)
@ qty ::
0
ประเภท FET ::
N-ช่อง
ประเภทการติดตั้ง ::
การติดตั้งพื้นผิว
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs ::
29nC @ 10V
ผู้ผลิต ::
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ปริมาณขั้นต่ำ ::
3000
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (เปิด Max Rds, เปิด Min Rds)::
10V
Factory Stock ::
0
อุณหภูมิในการทำงาน ::
-55°C ~ 175°C (TJ)
คุณสมบัติ FET::
-
ชุด ::
เฮ็กซ์เฟต®
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds ::
620pF @ 25V
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ::
ดีปะ
สถานะชิ้นส่วน::
ปราศการ
บรรจุภัณฑ์ ::
เทป & รีล (TR)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs ::
180 mOhm @ 8.3A, 10V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด) ::
86W (Tc)
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63
เทคโนโลยี ::
MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ)
Vgs(th) (Max) @ Id ::
5.5V @ 250µA
แรงดันเดรนสู่แหล่งจ่าย (Vdss) ::
150V
คําแนะนํา
IRFR13N15DTRL จาก Infineon Technologies เป็น MOSFET สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: