Texas Instruments Amplifier ชิป IC TI TPS25940ARVCT การติดตั้ง SMD

คุณสมบัติสำหรับ TPS25940

• 2.7 V – 18 V แรงดันใช้งาน, 20 V (สูงสุด)
• 42 mΩ Rบน(ทั่วไป)
• 0.6 A ถึง 5.3 ขีดจำกัดกระแสไฟที่ปรับได้ (±8%)
• เอาต์พุตตัวบ่งชี้กระแส IMON (±8%)
• 200 µA การใช้งาน Iคิว(ทั่วไป)
• 95 µA โหมด DevSleep Iคิว(ทั่วไป)
• 15 µA พิการ Iคิว(ทั่วไป)
• ±2% แรงดันไฟเกิน, เกณฑ์แรงดันไฟตก
• ย้อนกลับการบล็อกปัจจุบัน
• 1 µs แรงดันไฟย้อนกลับ Shutoff
• โปรแกรม dVo/dt การควบคุม
• กำลังดีและเอาต์พุตผิดพลาด
• –40°C ถึง 125°C ช่วงอุณหภูมิจุดเชื่อมต่อ
• UL 2367 ได้รับการยอมรับ
  • ไฟล์หมายเลข 169910
  • Rอิลิม≥ 20 kΩ (สูงสุด 4.81 A)
• UL60950 - ปลอดภัยระหว่างการทดสอบความล้มเหลวจุดเดียว
  • การตรวจจับ ILIM แบบเปิด/แบบสั้น

คำอธิบายสำหรับ TPS25940

สวิตช์เพาเวอร์ TPS25940 eFuse เป็นอุปกรณ์จัดการพลังงานที่มีขนาดกะทัดรัดและมีคุณสมบัติครบถ้วนพร้อมฟังก์ชันการป้องกันที่ครบครัน รวมถึงโหมด DevSleep™ ที่ใช้พลังงานต่ำซึ่งรองรับการปฏิบัติตามมาตรฐาน SATA™ Device Sleepช่วงการทำงานที่กว้างช่วยให้สามารถควบคุมแรงดันไฟฟ้าบัส DC ที่เป็นที่นิยมได้มากมายFET แบบ back-to-back ในตัวให้การควบคุมกระแสไฟแบบสองทิศทาง ทำให้อุปกรณ์นี้เหมาะสำหรับระบบที่มีพลังงานกักเก็บด้านโหลดซึ่งต้องไม่ระบายกลับไปยังบัสจ่ายไฟที่ล้มเหลว

การป้องกันโหลด แหล่งที่มา และอุปกรณ์มีคุณสมบัติที่ตั้งโปรแกรมได้มากมาย รวมถึงกระแสไฟเกิน dVo/dt ทางลาดและแรงดันไฟเกิน, เกณฑ์แรงดันไฟต่ำสำหรับการตรวจสอบสถานะของระบบและการควบคุมโหลดดาวน์สตรีม อุปกรณ์มี PGOODFLTและเอาต์พุตของจอภาพปัจจุบันที่แม่นยำแรงดันไฟต่ำที่ตั้งโปรแกรมได้อย่างแม่นยำ เกณฑ์แรงดันไฟเกิน และค่า I . ต่ำคิวโหมด DevSleep ทำให้การออกแบบการจัดการพลังงาน SSD ง่ายขึ้น

TPS25940 ตรวจสอบ V(ใน)และ V(ออก)เพื่อให้การบล็อกกระแสย้อนกลับที่แท้จริงเมื่อV(ใน)< (วี(ออก)- 10 mV)ฟังก์ชันนี้รองรับการเปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็วไปยังองค์ประกอบการจัดเก็บพลังงานแรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นในระบบที่แรงดันไฟฟ้าสำรองมากกว่าแรงดันบัส